FQB8N90CTM Preços (USD) [59774pcs Estoque]
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- 800 pcs$0.63510
- Número da peça:
- FQB8N90CTM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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FQB8N90CTM Atributos do produto
Número da peça :
FQB8N90CTM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.9 Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2080pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
171W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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