IXTP02N50D Preços (USD) [24888pcs Estoque]
- 1 pcs$1.83061
- 50 pcs$1.82150
- Número da peça:
- IXTP02N50D
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTP02N50D electronic components. IXTP02N50D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP02N50D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTP02N50D Atributos do produto
Número da peça :
IXTP02N50D
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
200mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 Ohm @ 50mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
120pF @ 25V
Recurso FET :
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) :
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220AB
Pacote / caso :
TO-220-3
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