[3848pcs Estoque]
- Número da peça:
- SI7530DP-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7530DP-T1-E3 electronic components. SI7530DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7530DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7530DP-T1-E3 Atributos do produto
Número da peça :
SI7530DP-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
1.4W, 1.5W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8 Dual
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