NTHD3102CT1G Preços (USD) [355350pcs Estoque]
- 1 pcs$0.10461
- 3,000 pcs$0.10409
- Número da peça:
- NTHD3102CT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTHD3102CT1G electronic components. NTHD3102CT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTHD3102CT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTHD3102CT1G Atributos do produto
Número da peça :
NTHD3102CT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A, 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.9nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
510pF @ 10V
Potência - Max :
1.1W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ChipFET™
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