TK7S10N1Z,LQ Preços (USD) [171284pcs Estoque]
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- 2,000 pcs$0.23754
- Número da peça:
- TK7S10N1Z,LQ
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 7A DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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TK7S10N1Z,LQ Atributos do produto
Número da peça :
TK7S10N1Z,LQ
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Series :
U-MOSVIII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
48 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7.1nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
470pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
50W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
DPAK+
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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