IPC90R1K2C3X1SA1 Preços (USD) [3104pcs Estoque]
- 13,608 pcs$0.40517
- Número da peça:
- IPC90R1K2C3X1SA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH BARE DIE.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPC90R1K2C3X1SA1 electronic components. IPC90R1K2C3X1SA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPC90R1K2C3X1SA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPC90R1K2C3X1SA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPC90R1K2C3X1SA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH BARE DIE
Series :
*
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
-
Tecnologia :
-
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
-
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
-
Temperatura de operação :
-
Tipo de montagem :
-
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
-
Pacote / caso :
-
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