NTTFS5116PLTAG Preços (USD) [256700pcs Estoque]
- 1 pcs$0.14481
- 1,500 pcs$0.14409
- Número da peça:
- NTTFS5116PLTAG
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Single and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTTFS5116PLTAG electronic components. NTTFS5116PLTAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTTFS5116PLTAG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTTFS5116PLTAG Atributos do produto
Número da peça :
NTTFS5116PLTAG
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8-WDFN
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.7A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1258pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.2W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-WDFN (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
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