NDD04N60Z-1G Preços (USD) [1197pcs Estoque]
- 1,425 pcs$0.15453
- Número da peça:
- NDD04N60Z-1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 4A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NDD04N60Z-1G electronic components. NDD04N60Z-1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDD04N60Z-1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NDD04N60Z-1G Atributos do produto
Número da peça :
NDD04N60Z-1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
640pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
83W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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