ON Semiconductor - NTD24N06T4G

KEY Part #: K6392693

NTD24N06T4G Preços (USD) [234913pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.15824
  • 2,500 pcs$0.15745

Número da peça:
NTD24N06T4G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTD24N06T4G Atributos do produto

Número da peça : NTD24N06T4G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 24A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1200pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.36W (Ta), 62.5W (Tj)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DPAK
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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