IXTX550N055T2 Preços (USD) [6381pcs Estoque]
- 1 pcs$7.13842
- 30 pcs$7.10291
- Número da peça:
- IXTX550N055T2
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Módulos de driver de energia, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTX550N055T2 electronic components. IXTX550N055T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTX550N055T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTX550N055T2 Atributos do produto
Número da peça :
IXTX550N055T2
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 550A PLUS247
Series :
FRFET®, SupreMOS®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
550A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
595nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
40000pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1250W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PLUS247™-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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