DMN61D8LVT-7 Preços (USD) [460537pcs Estoque]
- 1 pcs$0.08031
- 3,000 pcs$0.07188
- Número da peça:
- DMN61D8LVT-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN61D8LVT-7 electronic components. DMN61D8LVT-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN61D8LVT-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN61D8LVT-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMN61D8LVT-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.74nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
12.9pF @ 12V
Potência - Max :
820mW
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TSOT-26
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