Número da peça :
APTM100H18FG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
Tipo FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V (1kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
43A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
210 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
372nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
10400pF @ 25V
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP6