[2952pcs Estoque]
- Número da peça:
- 62-0095PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies 62-0095PBF electronic components. 62-0095PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 62-0095PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
62-0095PBF Atributos do produto
Número da peça :
62-0095PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta), 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.55V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
-
Pacote / caso :
-
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