[316pcs Estoque]
- Número da peça:
- BSS192PL6327HTSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSS192PL6327HTSA1 electronic components. BSS192PL6327HTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS192PL6327HTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSS192PL6327HTSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSS192PL6327HTSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
Series :
SIPMOS®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
190mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 130µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.1nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
104pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SOT89
Pacote / caso :
TO-243AA
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