IXFN50N50 Preços (USD) [3497pcs Estoque]
- 1 pcs$13.06939
- 10 pcs$13.00437
- Número da peça:
- IXFN50N50
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Módulos de driver de energia and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXFN50N50 electronic components. IXFN50N50 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN50N50, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN50N50 Atributos do produto
Número da peça :
IXFN50N50
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
330nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9400pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
600W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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