Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6L35FU(TE85L,F)

KEY Part #: K6522760

SSM6L35FU(TE85L,F) Preços (USD) [1105454pcs Estoque]

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Número da peça:
SSM6L35FU(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6L35FU(TE85L,F) Atributos do produto

Número da peça : SSM6L35FU(TE85L,F)
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Recurso FET : Logic Level Gate, 1.2V Drive
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 180mA, 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 9.5pF @ 3V
Potência - Max : 200mW
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : US6

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