Infineon Technologies - BSM35GP120BOSA1

KEY Part #: K6532514

BSM35GP120BOSA1 Preços (USD) [698pcs Estoque]

  • 1 pcs$66.48061

Número da peça:
BSM35GP120BOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
IGBT MODULE 1200V 35A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM35GP120BOSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSM35GP120BOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : IGBT MODULE 1200V 35A
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : NPT
Configuração : Three Phase Inverter
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 45A
Potência - Max : 230W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : -
Corrente - corte de coletor (máx.) : 500µA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 1.5nF @ 25V
Entrada : -
Termistor NTC : Yes
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module

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