BSM75GAL120DN2HOSA1 Preços (USD) [1189pcs Estoque]
- 1 pcs$36.38434
- Número da peça:
- BSM75GAL120DN2HOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- IGBT 2 MED POWER 34MM-1.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSM75GAL120DN2HOSA1 electronic components. BSM75GAL120DN2HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM75GAL120DN2HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSM75GAL120DN2HOSA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSM75GAL120DN2HOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
-
Configuração :
Single Switch
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
105A
Potência - Max :
625W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
3V @ 15V, 75A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
1.4mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
5.5nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
Module
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Module
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