[646pcs Estoque]
- Número da peça:
- APTGT75DA120D1G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 110A 357W D1.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
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APTGT75DA120D1G Atributos do produto
Número da peça :
APTGT75DA120D1G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
IGBT 1200V 110A 357W D1
Series :
-
Status da Peça :
Discontinued at Digi-Key
Tipo IGBT :
Trench Field Stop
Configuração :
Single
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
110A
Potência - Max :
357W
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 75A
Corrente - corte de coletor (máx.) :
4mA
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce :
5345nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
D1
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D1
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