Infineon Technologies - PSDC312E8427618NOSA1

KEY Part #: K6532647

PSDC312E8427618NOSA1 Preços (USD) [21pcs Estoque]

  • 1 pcs$1667.34348

Número da peça:
PSDC312E8427618NOSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOD IGBT STACK PSAO-1.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Infineon Technologies PSDC312E8427618NOSA1 electronic components. PSDC312E8427618NOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSDC312E8427618NOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSDC312E8427618NOSA1 Atributos do produto

Número da peça : PSDC312E8427618NOSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOD IGBT STACK PSAO-1
Series : *
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : -
Configuração : -
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : -
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : -
Potência - Max : -
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : -
Corrente - corte de coletor (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : -
Entrada : -
Termistor NTC : -
Temperatura de operação : -
Tipo de montagem : -
Pacote / caso : -
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : -

Você também pode estar interessado em
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.