Infineon Technologies - FP30R07U1E4BPSA1

KEY Part #: K6532799

[1046pcs Estoque]


    Número da peça:
    FP30R07U1E4BPSA1
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    IGBT MODULE VCES 600V 30A.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies FP30R07U1E4BPSA1 electronic components. FP30R07U1E4BPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP30R07U1E4BPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FP30R07U1E4BPSA1 Atributos do produto

    Número da peça : FP30R07U1E4BPSA1
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : IGBT MODULE VCES 600V 30A
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo IGBT : Trench Field Stop
    Configuração : Three Phase Inverter
    Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
    Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 50A
    Potência - Max : 160W
    Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 30A
    Corrente - corte de coletor (máx.) : 1mA
    Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce : 1.9nF @ 25V
    Entrada : Standard
    Termistor NTC : Yes
    Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C
    Tipo de montagem : Chassis Mount
    Pacote / caso : Module
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Module

    Você também pode estar interessado em
    • VS-GB90SA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • VS-GB90DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

    • CPV362M4K

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

    • CPV362M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

    • CPV363M4U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

    • VS-GB75NA60UF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT