STMicroelectronics - STW60N65M5

KEY Part #: K6399026

STW60N65M5 Preços (USD) [6017pcs Estoque]

  • 1 pcs$6.84848
  • 10 pcs$6.22445
  • 100 pcs$5.29078

Número da peça:
STW60N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 46A TO-247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW60N65M5 Atributos do produto

Número da peça : STW60N65M5
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 650V 46A TO-247
Series : MDmesh™ V
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 46A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 139nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6810pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 255W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3

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