Microsemi Corporation - APTM60H23FT1G

KEY Part #: K6522602

APTM60H23FT1G Preços (USD) [2511pcs Estoque]

  • 1 pcs$17.24630
  • 100 pcs$17.02655

Número da peça:
APTM60H23FT1G
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
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Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM60H23FT1G Atributos do produto

Número da peça : APTM60H23FT1G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 276 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5316pF @ 25V
Potência - Max : 208W
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote / caso : SP1
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP1