Número da peça :
APTM60H23FT1G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Tipo FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
276 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
165nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5316pF @ 25V
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP1