APTM60H23FT1G Preços (USD) [2511pcs Estoque]
- 1 pcs$17.24630
- 100 pcs$17.02655
- Número da peça:
- APTM60H23FT1G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Módulos de driver de energia and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Microsemi Corporation APTM60H23FT1G electronic components. APTM60H23FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM60H23FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTM60H23FT1G Atributos do produto
Número da peça :
APTM60H23FT1G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
276 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
165nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5316pF @ 25V
Potência - Max :
208W
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote / caso :
SP1
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SP1
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