STMicroelectronics - STFW38N65M5

KEY Part #: K6416576

STFW38N65M5 Preços (USD) [16507pcs Estoque]

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  • 10 pcs$2.99940
  • 100 pcs$2.46629
  • 500 pcs$2.06634
  • 1,000 pcs$1.79971

Número da peça:
STFW38N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 650V 30A TO-3PF.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Módulos de driver de energia and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STFW38N65M5 Atributos do produto

Número da peça : STFW38N65M5
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 650V 30A TO-3PF
Series : MDmesh™ V
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 95 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 71nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 57W (Tc)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ISOWATT-218FX
Pacote / caso : ISOWATT218FX

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