Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J356R,LF

KEY Part #: K6417379

SSM3J356R,LF Preços (USD) [1082173pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.03778
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Número da peça:
SSM3J356R,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM3J356R,LF Atributos do produto

Número da peça : SSM3J356R,LF
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição : MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Series : U-MOSVI
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (máx.) : +10V, -20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1W (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23F
Pacote / caso : SOT-23-3 Flat Leads