SSM3J356R,LF Preços (USD) [1082173pcs Estoque]
- 1 pcs$0.03778
- 3,000 pcs$0.03760
- Número da peça:
- SSM3J356R,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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SSM3J356R,LF Atributos do produto
Número da peça :
SSM3J356R,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Series :
U-MOSVI
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
+10V, -20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
330pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23F
Pacote / caso :
SOT-23-3 Flat Leads
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