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Microchip Technology - TN5335K1-G

KEY Part #: K6394074

TN5335K1-G Preços (USD) [162137pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.23372
  • 3,000 pcs$0.23255
Número da peça:
TN5335K1-G
Fabricante:
Microchip Technology
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in Microchip Technology TN5335K1-G electronic components. TN5335K1-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TN5335K1-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TN5335K1-G Atributos do produto

Número da peça : TN5335K1-G
Fabricante : Microchip Technology
Descrição : MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 350V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 110mA (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 110pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 360mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23 (TO-236AB)
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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