FDMS3660S Preços (USD) [179509pcs Estoque]
- 1 pcs$0.20605
- 3,000 pcs$0.20099
- Número da peça:
- FDMS3660S
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDMS3660S electronic components. FDMS3660S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMS3660S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMS3660S Atributos do produto
Número da peça :
FDMS3660S
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.7V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
29nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1765pF @ 15V
Potência - Max :
1W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Power56
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