ON Semiconductor - FGA30N65SMD

KEY Part #: K6424831

FGA30N65SMD Preços (USD) [34511pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.20017
  • 450 pcs$1.19420

Número da peça:
FGA30N65SMD
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 650V 60A 300W TO3P-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FGA30N65SMD Atributos do produto

Número da peça : FGA30N65SMD
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 650V 60A 300W TO3P-3
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo IGBT : Field Stop
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 650V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 60A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 90A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.5V @ 15V, 30A
Potência - Max : 300W
Energia de comutação : 716µJ (on), 208µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 87nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 14ns/102ns
Condição de teste : 400V, 30A, 6 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 35ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3PN