FGD3N60UNDF Preços (USD) [244691pcs Estoque]
- 1 pcs$0.15192
- 2,500 pcs$0.15116
- Número da peça:
- FGD3N60UNDF
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- IGBT 600V 6A 60W DPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FGD3N60UNDF electronic components. FGD3N60UNDF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGD3N60UNDF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FGD3N60UNDF Atributos do produto
Número da peça :
FGD3N60UNDF
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
IGBT 600V 6A 60W DPAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
6A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
9A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.52V @ 15V, 3A
Potência - Max :
60W
Energia de comutação :
52µJ (on), 30µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
1.6nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
5.5ns/22ns
Condição de teste :
400V, 3A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
21ns
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252, (D-Pak)
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