APT40GP60B2DQ2G Preços (USD) [7172pcs Estoque]
- 1 pcs$6.83085
- 10 pcs$6.21123
- 25 pcs$5.74549
- 100 pcs$5.27967
- 250 pcs$4.81382
- Número da peça:
- APT40GP60B2DQ2G
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrição detalhada:
- IGBT 600V 100A 543W TMAX.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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APT40GP60B2DQ2G Atributos do produto
Número da peça :
APT40GP60B2DQ2G
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrição :
IGBT 600V 100A 543W TMAX
Series :
POWER MOS 7®
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
PT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
100A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
160A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 40A
Potência - Max :
543W
Energia de comutação :
385µJ (on), 350µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
135nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
20ns/64ns
Condição de teste :
400V, 40A, 5 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote / caso :
TO-247-3 Variant
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
-
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