HGTD1N120BNS9A Preços (USD) [136878pcs Estoque]
- 1 pcs$0.27022
- 2,500 pcs$0.26133
- 5,000 pcs$0.24889
- Número da peça:
- HGTD1N120BNS9A
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A electronic components. HGTD1N120BNS9A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HGTD1N120BNS9A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HGTD1N120BNS9A Atributos do produto
Número da peça :
HGTD1N120BNS9A
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo IGBT :
NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) :
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) :
5.3A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) :
6A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic :
2.9V @ 15V, 1A
Potência - Max :
60W
Energia de comutação :
70µJ (on), 90µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga do Portão :
14nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C :
15ns/67ns
Condição de teste :
960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) :
-
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252AA
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