ON Semiconductor - HGTP3N60A4D

KEY Part #: K6424899

HGTP3N60A4D Preços (USD) [66382pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.59197
  • 800 pcs$0.58902

Número da peça:
HGTP3N60A4D
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
IGBT 600V 17A 70W TO220AB.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTP3N60A4D Atributos do produto

Número da peça : HGTP3N60A4D
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : IGBT 600V 17A 70W TO220AB
Series : -
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo IGBT : -
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) : 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) : 17A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) : 40A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic : 2.7V @ 15V, 3A
Potência - Max : 70W
Energia de comutação : 37µJ (on), 25µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga do Portão : 21nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C : 6ns/73ns
Condição de teste : 390V, 3A, 50 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) : 29ns
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote / caso : TO-220-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220-3