Diodes Incorporated - ZXMN3AMCTA

KEY Part #: K6523094

ZXMN3AMCTA Preços (USD) [226525pcs Estoque]

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Número da peça:
ZXMN3AMCTA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN3AMCTA Atributos do produto

Número da peça : ZXMN3AMCTA
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.3nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 25V
Potência - Max : 1.7W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-VDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : W-DFN3020-8

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