SQJ942EP-T1_GE3 Preços (USD) [178202pcs Estoque]
- 1 pcs$0.20756
- Número da peça:
- SQJ942EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJ942EP-T1_GE3 electronic components. SQJ942EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ942EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJ942EP-T1_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQJ942EP-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
15A (Tc), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 7.8A, 10V, 11 mOhm @ 10.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
809pF @ 20V, 1451pF @ 20V
Potência - Max :
17W, 48W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® SO-8
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8
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