NTB25P06T4G Preços (USD) [95967pcs Estoque]
- 1 pcs$0.40948
- 800 pcs$0.40744
- Número da peça:
- NTB25P06T4G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTB25P06T4G electronic components. NTB25P06T4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTB25P06T4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTB25P06T4G Atributos do produto
Número da peça :
NTB25P06T4G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
27.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
82 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
50nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1680pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
120W (Tj)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D2PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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