Cree/Wolfspeed - E3M0120090D

KEY Part #: K6398981

E3M0120090D Preços (USD) [12304pcs Estoque]

  • 1 pcs$3.34932

Número da peça:
E3M0120090D
Fabricante:
Cree/Wolfspeed
Descrição detalhada:
E-SERIES 900V 120 MOHM G3 SIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

E3M0120090D Atributos do produto

Número da peça : E3M0120090D
Fabricante : Cree/Wolfspeed
Descrição : E-SERIES 900V 120 MOHM G3 SIC
Series : Automotive, AEC-Q101, E
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 17.3nC @ 15V
Vgs (máx.) : +18V, -8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 600V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 97W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247-3
Pacote / caso : TO-247-3

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