IRFH3707TRPBF Preços (USD) [470002pcs Estoque]
- 1 pcs$0.07870
- 4,000 pcs$0.07526
- Número da peça:
- IRFH3707TRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH3707TRPBF electronic components. IRFH3707TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH3707TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH3707TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFH3707TRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta), 29A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.1nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
755pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.8W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (3x3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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