[4315pcs Estoque]
- Número da peça:
- PHN210,118
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
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PHN210,118 Atributos do produto
Número da peça :
PHN210,118
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 20V
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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