[2487pcs Estoque]
- Número da peça:
- 2N6660JTVP02
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix 2N6660JTVP02 electronic components. 2N6660JTVP02 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2N6660JTVP02, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2N6660JTVP02 Atributos do produto
Número da peça :
2N6660JTVP02
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 0.99A TO-205
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
990mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-205AD (TO-39)
Pacote / caso :
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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