Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8A06-H(TE12LQM)

KEY Part #: K6405618

[1603pcs Estoque]


    Número da peça:
    TPC8A06-H(TE12LQM)
    Fabricante:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPC8A06-H(TE12LQM) Atributos do produto

    Número da peça : TPC8A06-H(TE12LQM)
    Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
    Descrição : MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.1 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 10V
    Recurso FET : Schottky Diode (Body)
    Dissipação de energia (máx.) : -
    Temperatura de operação : -
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP (5.5x6.0)
    Pacote / caso : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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