RF6C055BCTCR Preços (USD) [390420pcs Estoque]
- 1 pcs$0.10473
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- Número da peça:
- RF6C055BCTCR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RF6C055BCTCR electronic components. RF6C055BCTCR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RF6C055BCTCR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RF6C055BCTCR Atributos do produto
Número da peça :
RF6C055BCTCR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CHANNEL 20V 5.5A TUMT6
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25.8 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1080pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TUMT6
Pacote / caso :
6-SMD, Flat Leads
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