Infineon Technologies - IPW60R060P7XKSA1

KEY Part #: K6416064

IPW60R060P7XKSA1 Preços (USD) [11487pcs Estoque]

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  • 10 pcs$3.02056
  • 100 pcs$2.47669
  • 500 pcs$2.00552
  • 1,000 pcs$1.69140

Número da peça:
IPW60R060P7XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPW60R060P7XKSA1 Atributos do produto

Número da peça : IPW60R060P7XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Series : CoolMOS™ P7
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 48A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 800µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2895pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 164W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO247-3
Pacote / caso : TO-247-3

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