SISS98DN-T1-GE3 Preços (USD) [183655pcs Estoque]
- 1 pcs$0.20140
- 3,000 pcs$0.18912
- Número da peça:
- SISS98DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SISS98DN-T1-GE3 electronic components. SISS98DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS98DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SISS98DN-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SISS98DN-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
Series :
ThunderFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
14.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 7.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
608pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
57W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso :
PowerPAK® 1212-8
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