SQJB60EP-T1_GE3 Preços (USD) [164478pcs Estoque]
- 1 pcs$0.22488
- 3,000 pcs$0.19003
- Número da peça:
- SQJB60EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJB60EP-T1_GE3 electronic components. SQJB60EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJB60EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJB60EP-T1_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQJB60EP-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 25V
Potência - Max :
48W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
PowerPAK® SO-8 Dual
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8 Dual
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