[3993pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRLHS6376TR2PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRLHS6376TR2PBF electronic components. IRLHS6376TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLHS6376TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLHS6376TR2PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRLHS6376TR2PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 10µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
2.8nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
270pF @ 25V
Potência - Max :
1.5W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
6-VDFN Exposed Pad
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-PQFN (2x2)
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