Diodes Incorporated - DMG8601UFG-7

KEY Part #: K6523290

DMG8601UFG-7 Preços (USD) [438799pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.08471
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Número da peça:
DMG8601UFG-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG8601UFG-7 Atributos do produto

Número da peça : DMG8601UFG-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.05V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.8nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 143pF @ 10V
Potência - Max : 920mW
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 8-PowerUDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : U-DFN3030-8

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