IXTN210P10T Preços (USD) [2706pcs Estoque]
- 1 pcs$17.69040
- 20 pcs$17.60239
- Número da peça:
- IXTN210P10T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTN210P10T electronic components. IXTN210P10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTN210P10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTN210P10T Atributos do produto
Número da peça :
IXTN210P10T
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
Series :
TrenchP™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
210A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
740nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
69500pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
830W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-227B
Pacote / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
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