IXTA3N60P Preços (USD) [61324pcs Estoque]
- 1 pcs$0.73693
- 50 pcs$0.73326
- Número da peça:
- IXTA3N60P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTA3N60P electronic components. IXTA3N60P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA3N60P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTA3N60P Atributos do produto
Número da peça :
IXTA3N60P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK
Series :
PolarHV™
Status da Peça :
Last Time Buy
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 50µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
9.8nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
411pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
70W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-263 (IXTA)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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