Infineon Technologies - IPSA70R1K4CEAKMA1

KEY Part #: K6419756

IPSA70R1K4CEAKMA1 Preços (USD) [129890pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.28476
  • 1,500 pcs$0.10497

Número da peça:
IPSA70R1K4CEAKMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 700V 5.4A IPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPSA70R1K4CEAKMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPSA70R1K4CEAKMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 700V 5.4A IPAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10.5nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 225pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 53W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO251-3
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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