NXP USA Inc. - 2N7002PT,115

KEY Part #: K6415225

[12483pcs Estoque]


    Número da peça:
    2N7002PT,115
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2N7002PT,115 Atributos do produto

    Número da peça : 2N7002PT,115
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrição : MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 310mA (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 0.8nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 250mW (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SC-75
    Pacote / caso : SC-75, SOT-416